去離子超純水設備概述：
去離子超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格，達到PPb級，產(chǎn)水水質要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。

去離子超純水設備優(yōu)點：
半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時，半導體行業(yè)對TOC的要求較高。
去離子超純水設備特點：
由于 超純水設備的工藝是根據(jù)不同的入水水質和出水要求而設計的，針對不同的原水水質特點而設計超純水設備方案才是經(jīng)濟有效的方案，同時也是出水水質長期穩(wěn)定達到要求的保證。超純水設備由于用途不一樣，會有不同的制造流程，或有的把幾種工藝結合起來讓水質達到預期的效果，按類別可大至分為以下幾種，比較常用的預處理系統(tǒng)，反滲透系統(tǒng)， EDI電除鹽超純水系統(tǒng)，精處理系統(tǒng)等。

去離子超純水設備工藝：
①反滲透純水設備
RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力，使水分子和離子態(tài)的礦物質元素通過一層反滲透膜，而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物以及細菌、病毒等無法透過反滲透膜，從而透過的純水和無法透過的濃縮水嚴格的分開；

反滲透膜上的孔徑只有0.0001um，而病毒的直徑一般有0.02-0.4um，普通細菌的直徑有0.4-1um。 反滲透純水機的正常工作有賴于一定的壓力，這個壓力大于滲透膜的滲透壓，一般是2.8公斤/平方厘米。

在水壓或水壓不穩(wěn)定的地區(qū)，我們建議您一定要購買有前段增壓泵的反滲透純水系統(tǒng)，它的工作壓力可達0.3-0.6Mpa，不受自來水壓限制，制水效率高,速度快、排濃縮水少。

一級反滲透設備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此純水系統(tǒng)產(chǎn)水品質穩(wěn)定，是目前比較通用的純水生產(chǎn)設備，生產(chǎn)品質基本滿足FPC/PCB生產(chǎn)需求。

② EDI電除鹽超純水系統(tǒng)
連續(xù)電除鹽(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization)，是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子，同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下，分別透過陰陽離子交換膜而被除去的過程。

這一過程離子交換樹脂是電連續(xù)再生的，因此不需要使用酸和堿對之再生。

這種新技術可以替代傳統(tǒng)的離子交換裝置，生產(chǎn)出高達18MΩ.CM的超純水。整個工藝流程前面的部分和常規(guī)的水處理工藝沒有很大區(qū)別，一般是先經(jīng)過預處理，然后加藥殺毒，再經(jīng)過RO反滲透系統(tǒng)，再使用EDI設備制取超純水。